硅片加工过程中会带来各类金属杂质沾污，进而导致后道器件的失效，轻金属(Na、Mg、Al、K、Ca等)会导致器件击穿电压降低，沉金属(Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn等)会导致器件寿命降低。因而，硅片做为器件的原材料，其概况金属含量会间接影响器件的及格率。特定的污染问题可导致半导体器件分歧的缺陷，凡是这些金属杂质是超微量的金属离子存正在。
1.将硅片置于 VPD 室中，并于 HF 蒸气中以消融天然氧化物或热氧化的 SiO2概况层
2.将提取液滴（凡是为 250 μL 的 2% HF/2% H2O2）置于晶圆上，然后以细心节制的体例倾斜，使得液滴正在晶圆概况上“扫掠”
除了以上操做过程中我们要避免正在尝试室二次污染我们操做过程中对及样品运输都有一个严酷的尺度，关于准确的运输包拆我们您：
目前我们为了能测试出晶圆概况这些超微量的金属离子当前大师利用的比力常见的手艺手段一般为：VPD(Vapor Phase decomposition）化学气相分化)共同以下元素阐发设备中的一种来实现：
TXRF由于是X射线做为荧光的激发源，所以对于某些轻金属元素像Na、Mg、Al等超微量存正在的离子无法检测出来，一般合用于沉金属。
ICP-MS几乎可阐发几乎地球上所有元素（Li-U）该手艺是80年代成长起来的新的阐发测试手艺。它以将ICP的高温（8000K）电离特征取四极杆质谱计的活络快速扫描的长处相连系而构成一种新型的最强无力的元素阐发、同位素阐发和形态阐发手艺。该手艺供给了极低的检出限、极宽的动态线性范畴、谱线简单、干扰少、阐发细密度高、阐发速度快以及可供给同位素消息等阐发特征。